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表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡(jiǎn)稱(chēng)SPV法）是通過(guò)測(cè)量由于光照在半導(dǎo)體材料表面產(chǎn)生的表面電壓來(lái)獲得少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法。其原理是：用能量大于半導(dǎo)體材料禁帶寬...

無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀包含一個(gè)渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測(cè)量?jī)x試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測(cè)量對(duì)象的片電阻相關(guān)的電磁場(chǎng)。電渦流技術(shù)不依賴(lài)于表面特征或形貌。此外，非接觸式單點(diǎn)方...

晶錠非接觸方阻測(cè)試儀：晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純硅材料，在電子工業(yè)中被廣泛應(yīng)用。晶錠是一種長(zhǎng)條狀的半導(dǎo)體材料，通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的Float-Zone法制備，直徑通常為2...

晶錠渦流法電阻率測(cè)試儀：電阻率是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種物質(zhì)所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長(zhǎng)度的比值叫做這種物質(zhì)的電阻率。電阻率與導(dǎo)體的長(zhǎng)度、橫截面積等...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與?電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達(dá)式為μH =│RH│σ。?12定義和計(jì)算方法霍爾遷移率是Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)...

??渦流法方阻測(cè)試儀的方阻是指一個(gè)正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?，也稱(chēng)為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個(gè)參數(shù)，其大小與材料的電...

是一款汞探針CV自動(dòng)圖形掃描測(cè)量系統(tǒng)。它使用高頻CV測(cè)量分析系統(tǒng)，可以對(duì)75mm、100mm、125mm、150mm、200mm（以及300mm）直徑的測(cè)試片進(jìn)行測(cè)量和自動(dòng)成圖。該系統(tǒng)采用汞探針設(shè)計(jì)，...

電化學(xué)EC-V剖面濃度測(cè)試儀可高效、準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。

非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，晶圓、硅片厚...

我司憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線(xiàn)，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備提供商，主營(yíng)非接觸方阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率...

霍爾遷移率測(cè)試儀主要利用微波測(cè)試原理，非接觸式測(cè)量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度。可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，具有快速，無(wú)損，準(zhǔn)確等優(yōu)勢(shì)，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)...

渦流法?電阻率方阻是一種利用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行檢測(cè)的方法。當(dāng)載有交變電流的試驗(yàn)線(xiàn)圈靠近導(dǎo)體工件時(shí)，會(huì)產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，進(jìn)而在工件中感生出密閉的環(huán)狀電流，即渦流。渦流的大小、相位及流動(dòng)形式受到工件性質(zhì)（如電導(dǎo)...